Samsung : une puce mémoire 512 Go encore plus rapide pour les smartphones

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Samsung a annoncé une nouvelle puce mémoire 512 Go en eUFS 3.1. Elle triple les vitesses en écriture par rapport à la version eUFS 3.0.

La firme sud-coréenne a en effet dévoilé une puce mémoire de 512 Go en eUFS 3.1. Celle-ci promet des pointes à 1 200 Mo/s en écriture séquentielle, 2 100 Mo/s en lecture séquentielle, 70 000 IOPS en écriture aléatoire et 100 000 IOPS en lecture aléatoire. La version eUFS 3.0 laisse pour rappel envisager des pics à 410 Mo/s en écriture séquentielle, 2 100 Mo/s en lecture séquentielle, 68 000 IOPS en écriture aléatoire et 63 000 IOPS en lecture aléatoire. Par rapport à la précédente génération, les vitesses en écriture séquentielle se retrouvent donc multipliées par trois. Elles passent au passage le cap symbolique du 1 Go/s. Pour donner un exemple concret, Samsung indique un transfert de 100 Go qui prenait plus de 4 minutes en eUFS 3.0 et qui nécessiterait environ 1,5 minute avec l’eUFS 3.1.

Comme l’indique Samsung, la production de masse a déjà démarré. La puce se retrouvera dans les smartphones haut de gamme, dont ceux du géant coréen évidemment. Avec elle, les smartphones n’auront clairement rien à envier aux ordinateurs avec leurs SSD. Ils seront en effet parés pour gérer de gros fichiers, comme les vidéos 4K et 8K. Une telle capacité évitera également de recourir à des cartes mémoire aux performances inférieures. Notez que Samsung annonce l’arrivée de capacités 128 et 256 Go.